SiC和Si的区别 sic与ssic有什么区别

1、他们都是原子晶体 在原子晶体中SiC和Si的区别，原子半径越小，共价键越牢固，熔点越高 而原子半径SiC和Si的区别的关系是金刚石C水晶SiO2SiC晶体硅Si所以熔点的大小关系也是金刚石C水晶SiO2SiC晶体硅Si求采纳为满意回答；硅Si优点1 硅是集成电路工业中最常用的材料，具有良好的电子特性，易于实现大规模集成电路2 硅的制造技术成熟，成本低，适用于商业化大规模生产缺点1 硅的机械强度相对较低，容易受到外界物理应力的影响2 硅的导热性较差，不适合高功率高热密度的器件蓝宝石Sapphire优点。

2、1 SiC MOSFET的Vd Id特性 SiC MOSFET与IGBT不同，没有开启电压，因此在宽广的电流范围内都能实现低导通损耗与室温下Si MOSFET导通电阻可能增加两倍相比，SiC MOSFET的导通电阻上升率较低，易于热设计，并且在高温下的导通电阻也较低2 驱动门极电压与导通电阻 SiC MOSFET的漂移层阻抗较低，但；碳化硅必然是发展的趋势，用的会越来越多，其二极管没有反向恢复电流，这一点是无比强大的，目前肖特基二极管只能到200V，高压肖特基只有碳化硅，没有反向电流就意味着没有反向恢复尖峰，EMI降低二极管关断损耗大减稳定性提高工作频率大增各种优点其MOS管结电容非常小，同样使得其工作频率提高；然而，肖特基二极管的正向导通损耗与电压范围和外延层厚度密切相关，因此硅基肖特基二极管不适合工作电压大于200V的情况普通二极管的“惯性”很大，但当工作电压超过200V时，普通PIN二极管占主导地位近年来，在硅基肖特基二极管的基础上发展起来的新型碳化硅SIC基肖特基二极管，以其临界效率应用于电力电子。

3、4 碳化硅SiC基肖特基二极管是近年来在硅基肖特基二极管基础上发展起来的，它们在电力电子器件中以其临界效率应用与传统硅相比，碳化硅具有更宽的带隙更低的 reverse current更高的临界击穿场强和更好的热导率5 尽管碳化硅制成的二极管比硅基二极管贵，但由于其优异的性能，它们在能够给整个；SiC功率器件的显著优势在于，与硅器件相比，不仅耐压性能更优，而且单位面积的阻抗大幅下降例如，在相同耐压条件下，SiC的阻抗仅为Si的1300，这使得SiC能够实现低阻抗和高频驱动，同时解决了高耐压导致的导通电阻增加问题，如IGBT的高频驱动限制在高耐压功率器件中，SiCMOSFET金属氧化物半导体场效应；SiCDMOS在耐压导通电阻开关速度等方面表现出色，特别是在高温条件下的工作表现良好，是一款具有显著优势的开关元件三SiCMOSFET与SiMOSFET的区别 本文重点阐述了SiCMOSFET与SiMOSFET之间的区别在驱动方法上，SiCMOSFET相较于SiMOSFET，具有驱动电压即栅极源极间电压Vgs与导通电阻之间；在SiC的晶胞结构中，黑色代表碳原子C，而白色则代表硅原子Si要确定每个碳原子周围与其距离最近的硅原子数量，我们首先需要理解晶胞的排列方式SiC晶体通常采用类似于金刚石或闪锌矿的四面体结构，其中每个原子都位于由其他四种不同原子构成的四面体中心具体到SiC晶胞中，每个碳原子都被四个硅原子；四种晶体的区分及比较如下1 金刚石C二氧化硅SiO2金刚砂SiC硅单质Si是原子晶体，其他种类不是，因为它们不能形成分子二氧化硅得名为硅和氧原子比例为122 分子晶体是由分子间通过分子间作用力相结合而形成的晶体这类晶体熔沸点低，硬度小它们的水溶液通常能导电；SiSi键键长比SiC键键长长，所以SiC的熔点更高。

4、SiCMOSFET的驱动电压与SiMOSFET不同，由于SiC的低漂移层电阻和高通道电阻，SiCMOSFET在较高的驱动电压下展现出更低的导通电阻此外，SiCMOSFET内部栅极电阻较高，对于高速开关应用，需要调整外部栅极电阻5 SiCMOSFET与IGBT的特性比较 SiCMOSFET和IGBT在VdId特性开关损耗特性和导通损耗特性方面。

5、SiC，全称为碳化硅，是一种特殊的化合物半导体材料，主要由硅Si和碳C元素构成它来源于人工合成，通过高温电阻炉冶炼，原料包括石英砂石油焦或煤焦木屑在生产绿色碳化硅时还需添加食盐自然界中，碳化硅也有其存在的形式，即莫桑石，这是一种极其罕见的矿物碳化硅的特性卓越，其结合；金刚石SiCSi，因为C的原子半径比Si小，形成CC共价键的键长更短，所以熔点越高SiC就是金刚石和Si的“过渡”晶体；1 碳化硅SiC因其强烈的共价键而具有较高的熔点2 硅Si和碳C之间的键长较硅碳键短，导致硅的熔点较碳化硅低。